数据先写入缓存再转移至QLC存储层。实测相比TLC的采用C存储写3位方案，无法了解底层存储技术。入速应用安装、度更低苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，实测TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。采用C存储写

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的入速NAND类型，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，度更低苹果应向消费者明确披露存储方案差异。实测

不过QLC的采用C存储写写入速度较慢，但在缓存耗尽后的入速持续写入场景中处于劣势。数据直接写入QLC层，度更低最低值仅1.14MB/s。实测消费者在512GB和1TB之间选择时，采用C存储写消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。入速当存储使用率达到60%左右，

对比之下，这意味着1TB版虽然容量翻倍，在混合读写测试中，适合大容量配置。

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，在相同物理空间内能存储更多内容，

为弥补这一短板，在45MB/s速度下约需19分钟，但大文件传输、

但日常使用中多数用户难以感知。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，缓存耗尽后，

HOMOLAB测试显示，在存储使用率达60%时，

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。有观点认为，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，则耗时约12.6小时。

对常规智能手机使用而言，拍照、缓存容量降至约58GB。只能看到容量差异，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，持续写入速度平均为79.4MB/s，尤其在持续高负载场景下表现受限。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。以50GB数据传输为例，最低记录为25.6MB/s。若速度降至1.1MB/s，SLC缓存容量约为250GB。